Pamięć operacyjna współczesnego komputera charakteryzuje się kilkoma parametrami. Najbardziej znane to głośność i częstotliwość, ale opóźnienie pamięci, inaczej zwane timingiem, jest również ważnym wskaźnikiem.
Pamięć o dostępie swobodnym komputera (RAM) to pamięć ulotna, która zawiera składniki systemu operacyjnego i uruchomione programy. Ilość pamięci wpływa na ilość informacji, które może zawierać w tym samym czasie, a tym samym na liczbę uruchomionych aplikacji. Częstotliwość charakteryzuje szybkość pamięci, czyli liczbę operacji (cykli) na sekundę.
Protoplasta pamięci komputerowej został stworzony w 1834 roku przez Charlesa Babbage'a. To mechaniczne urządzenie, zwane magazynem, przechowywało pośrednie wyniki obliczeń Silnika Analitycznego.
Opóźnienia lub czasy pokazują liczbę cykli zegara spędzonych na operacjach wewnętrznych, innymi słowy, czasy charakteryzują prostą pamięć.
Zasada dostępu do pamięci
Aby zrozumieć te lub inne czasy, warto bardziej szczegółowo zastanowić się nad dostępem do pamięci. W uproszczeniu chip pamięci może być reprezentowany jako tabela, w której każda komórka odpowiada elementowi pamięci przechowującemu jeden bit.
Po wybraniu określonej komórki numery kolumn i wierszy są przesyłane za pośrednictwem magistrali adresowej. Pierwszym z nich jest stroboskop dostępu do wiersza (RAS), a następnie stroboskop dostępu do kolumny (CAS).
Po wybraniu komórki wysyłane są do niej różne impulsy sterujące - sprawdzające dostęp do zapisu, zapisu, odczytu lub ładowania. Ponadto występują opóźnienia między tymi operacjami, które nazywane są czasami.
Rodzaje czasu
Istnieją cztery różne taktowania określone przez producentów pamięci.
CL (CAS-latensy) - Opóźnienie CAS to czas oczekiwania między impulsem CAS a rozpoczęciem odczytu. Innymi słowy, liczba kleszczy wymaganych do odczytania komórki, jeśli wymagany wiersz jest już otwarty.
T RCD (Row Address to Column Address Delay) - opóźnienie między impulsami RAS i CAS. Chronometraż pokazuje czas między otwarciem wiersza a otwarciem kolumny.
T RP (Czas wstępnego ładowania rzędu). Ten czas to opóźnienie między impulsem zamknięcia aktywnej linii a impulsem ZAZ otwierającym kolejną.
Czasami można natknąć się na rekord taki jak 6-6-6-18-24. Tutaj piąta liczba oznacza taktowanie szybkości poleceń - opóźnienie między impulsem wyboru mikroukładu w module pamięci a aktywacją linii.
Suma tych czasów charakteryzuje opóźnienie między odczytem określonej komórki pamięci, jeśli inna linia jest otwarta. Producenci najczęściej wskazują te trzy parametry, ale czasami można zobaczyć czwarty - T RAS.
T RAS (Row Active Time) - liczba tików między impulsem RAS a impulsem zamykającym wiersz (Precharge), czyli czas aktualizacji wiersza. Zazwyczaj T RAS jest równy trzem poprzednim taktowaniu.
Dla wygody czasy są podane bez symboli, oddzielone myślnikiem, na przykład 2-2-2 lub 2-2-2-6.
