Pamięć flash jest formą technologii semi-pass i elektrycznej reprogramowalnej pamięci. Ta sama koncepcja może być stosowana w obwodach elektronicznych do oznaczania technologicznie kompletnych rozwiązań. W życiu codziennym ta koncepcja jest ustalona dla szerokiej klasy urządzeń półprzewodnikowych do przechowywania informacji.
Niezbędny
Pendrive, komputer z podłączeniem do internetu
Instrukcje
Krok 1
Zasada działania tej technologii opiera się na zmianach i rejestracjach w izolowanych obszarach ładunku elektrycznego w strukturze półprzewodnikowej. Zmiana takiego ładunku, czyli jego utrwalenie i wymazanie, następuje za pomocą aplikacji znajdującej się pomiędzy źródłem a bramą jego większego potencjału. W ten sposób między tranzystorem a kieszenią w cienkim polu dielektrycznym powstaje wystarczająca siła pola elektrycznego. Tak powstaje efekt tunelu.
Krok 2
Zasoby pamięci opierają się na zmianie ładunku. Niekiedy wiąże się to z skumulowanym efektem nieodwracalnych zjawisk w jego strukturze. Dlatego liczba wpisów jest ograniczona dla komórki flash. Ta liczba dla MLC wynosi zwykle 10 tysięcy jednostek, a dla SLC - do 100 tysięcy jednostek.
Krok 3
Czas przechowywania danych zależy od tego, jak długo przechowywane są ładunki, co zwykle podaje większość producentów artykułów gospodarstwa domowego. Nie przekracza dziesięciu do dwudziestu lat. Chociaż producenci dają gwarancję tylko na pierwsze pięć lat. Należy jednak zauważyć, że urządzenia MLC mają krótsze okresy przechowywania danych niż urządzenia SLC.
Krok 4
Hierarchiczną strukturę pamięci flash wyjaśnia następujący fakt. Procesy takie jak zapisywanie i wymazywanie, a także odczytywanie informacji z dysku flash odbywają się w dużych blokach o różnych rozmiarach. Na przykład blok kasowania jest większy niż blok zapisu, który z kolei jest mniejszy niż blok odczytu. Jest to cecha charakterystyczna pamięci flash od klasycznej. W rezultacie wszystkie jego mikroukłady mają wyraźną strukturę hierarchiczną. Pamięć jest więc podzielona na bloki, a te na sektory i strony.
Krok 5
Szybkość wymazywania, czytania i pisania jest inna. Na przykład prędkość wymazywania może wynosić od jednej do setek milisekund. Zależy to od rozmiaru usuwanych informacji. Szybkość nagrywania to dziesiątki lub setki mikrosekund. Szybkość odczytu wynosi zwykle dziesiątki nanosekund.
Krok 6
Możliwości wykorzystania pamięci flash są podyktowane jej możliwościami. Dozwolona jest produkcja i sprzedaż mikroukładów z dowolną liczbą uszkodzonych komórek pamięci. Aby ten procent był niższy, każda strona jest dostarczana z małymi dodatkowymi blokami.
Krok 7
Słabym punktem pamięci flash jest to, że liczba cykli przepisywania na jednej stronie jest ograniczona. Sytuacja staje się jeszcze gorsza ze względu na fakt, że systemy plików często zapisują w tej samej lokalizacji pamięci.
